ماسفت IRF640 نوع N-Channel پکیج TO-220
ماسفت 200 ولت 18 آمپر IRF640 نوع N-Channel پکیج TO-220
ترانزیستور 4N80 TO-220F
TR 4N80 TO-220F
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This high voltage MOSFET uses an advanced termination
scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without
degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS
E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and
commutation modes. The new energy efficient design also offers a
drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for high
voltage, high speed switching applications in power supplies,
converters and PWM motor controls, these devices are particularly
well suited for bridge circuits where diode speed and commutating
safe operating areas are critical and offer additional safety margin
against unexpected voltage transients.
• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a
Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
مشخصات
ماسفت IRF640 نوع N-Channel پکیج TO-220
ماسفت 200 ولت 18 آمپر IRF640 نوع N-Channel پکیج TO-220
ترانزیستور 55N06 TO-220 ORG
ماسفت 2N60 نوع N-Channel پکیج TO-251
ماسفت 600 ولت 2 آمپر 2N60 نوع N-Channel پکیج TO-251
ماسفت IRF3205 پکيج TO-220
ماسفت 55 ولت 110 آمپر IRF3205 نوع N-channel پکیج TO-220
ماسفت IRF730 نوع N-Channel پکیج TO-220
ترانزیستور ماسفت IRFBC30
ترانزیستور ماسفت IRFBC40 TO-220
ترانزیستور 4N80 TO-220F
i47SHOP
اولین و جامع ترین فروشگاه ماژول های کاربردی در ایران
ثبت سفارش به صورت عمده واردات مستقیم از چین
تولید و ساخت ابزار الکترونیک به صورت عمده و پروژه ای.
لطفا ابتدا وارد شوید.
ورود به سیستم
یک حساب کاربری رایگان برای ذخیره آیتمهای محبوب ایجاد کنید.
ورود به سیستمیک حساب کاربری رایگان برای استفاده از لیست علاقه مندی ها ایجاد کنید.
ورود به سیستم